2017年大学物理下归纳总结

基本电气要求：

1. 你将求解描述静电场的两个重要物理量：电场强度E和电势V。 2. 掌握描述静电场的重要定理：高斯定理和安培环定理（公式内容和物理意义）。

3.掌握静电平衡及导体的应用； 介质的极化机制和介质中的高斯定理。 主要公式： 1.电场强度 1.点电荷场强：场强计算方法（3种） 1.点电荷场场强及叠加原理

Qir点电荷系统场强：连续带电体场强：E

rdr30（五步积分法）（建立坐标系、取电荷元、写dE、分解、积分）

2、静电场高斯定理： 表达式： 物理意义：表明在静电场中，通过任意闭合曲面的电通量（电场强度沿任意闭合曲面的面积积分）等于代数和表面所包含的电荷除以。

0 对称带电体场强：（利用高斯定理求解），利用电场与电势的关系：

UExx 2. 电势 电势及其定义：

1.电场力确实起作用：

2.静电场安​​培环路定理：静电场的保守性质

表达式：Edl0l 物理意义：表示在静电场中，电场强度沿任意闭合路径的线积分为0。

B3。 潜力：UaEdl(Up00)； 潜在差异：

aAp0电位的计算：

1、点电荷场的电势及叠加原理 点电荷电势： 点电荷系统电势：Ui

dq40r连续带电体电势：VdV（四步积分法）（建立坐标系，取电荷元，写出dV，积分） 2.已知场强分布计算电势：定义法

lp 3.静电场中的导体和电介质

1.了解静电平衡的条件以及静电平衡下导体的性质

2.了解电介质的极化机理和描述极化的物理量极化强度P，并能运用介质高斯定理求对称或分区均匀问题中的D、E、P和界面。

处的束缚电荷面积密度。 3.可以根据电容的定义计算电容。

典型带电系统的场强 均匀带电球体 E0 球内典型带电系统的电势 均匀带电球体 球体外部均匀带电 无限直线 (U0) (a) 均匀带电直线 E () 4020r 无限长度：E均匀带电无限平面 E 均匀带电无限平面

磁学恒定磁场（非保守力场）的基本要求：

1、熟悉毕奥-萨伐尔定律的应用，能够利用右手螺旋定则求磁感应强度方向；

3、掌握描述磁场的两个重要定理：高斯定理和安培环路定理（公式内容和物理意义）； 能够利用回路定理计算常规电流的磁感应强度； 3. 能够求解磁场中载流导线所受的安培力； 4.了解介质的磁化机理，能够利用介质中的循环定律计算H和B。

主要公式：

． 毕奥-萨伐尔定律表达式： ()4r01) 有限长度载流直接导体，垂直距离 r 处的磁感应强度：B （其中 和 分别为起始电流方向和终止电流方向与连接到导线的方向之间的夹层）场点喇叭。）

12 无限长载流直导体，垂直距离r处的磁感应强度：BI02r 半无限长载流直导体，通过端点的垂直线上，垂直距离r处的磁感应强度：

） 圆形载流线圈，半径为R，在中心O： 半圆形载流线圈，半径为R，在中心O： B3）螺线管和螺旋环的内部磁场。 自己看书，记住公式。 2. 磁场高斯定理：

0表达式：mBdS0（被动场）（因为磁力线是一条闭合曲线，从闭合面看

如果 s 从一侧进入，则它必须从另一侧出去。）

物理意义：表明在稳定的磁场中，通过任意闭合曲面的磁通量（沿任意闭合曲面的磁场强度的面积积分）等于0。

3. 磁场安培环路定理：（有自旋场）

表达式： 物理意义： 表明在稳定磁场中，磁感应强度B沿任意闭合路径的线积分等于乘以该路径所包围电流的代数和。 真空导磁率

004.洛伦兹力和安培力

1) 洛伦兹力：FqvB（磁场对移动电荷的作用力）

2）安培力：FIdlB（方向沿IdlB方向，或由左手定则确定）

l 积分法五步： 1.建立坐标系； 2.获取当前元素Idl； 3. 写； 4、分解； 5.

不可缺少的。

3）载流闭合线圈所经历的磁矩：

M=mB（了解磁矩的定义和意义）

5.介质中的磁场

1）介质的磁化机理及三类磁性介质

2）磁介质的安培环路定理：电磁感应的基本要求：

1.了解法拉第电磁感应定律和楞次定律的内容和物理意义； 2.能够求解感应电动势和动电动势的大小和方向； 了解自感和互感

感觉;

3.掌握麦克斯韦方程组及其含义，了解电磁波。 主要公式：

1.法拉第电磁感应定律：d． 可以利用楞次定律来确定感应电动势的平方。

dt 方向。

Bdl(vBsin)。 动电动势vll为v与B之间的角度； 为vB 方向与L 方向之间的夹角。 注：感应电动势的方向沿vB 方向，从低电位到高电位。

B3。 感应电动势和感应电场：E感应dldS；

tLS4。 麦克斯韦方程组和电磁波：

硫酸钠

变化的磁场会产生电场

改变电场会产生磁场

波动光学

基本要求：

杨大师的双缝干涉、单缝衍射、分裂点干涉、光栅衍射公式； 了解光程差的含义、半波损耗发生的条件以及增透膜和增透膜的原理； 主要公式：

1.光程差和半波损耗

光程差：几何光程乘以折射率之差：

半波损耗：当入射光从折射率较小的光稀疏介质投射到折射率较大的光密介质表面时，反射光与入射光相比，相位发生突变，即光路中的跳跃。 （如果两个

如果两束相干光其中一束光发生半波损耗而另一束光没有半波损耗，则会产生额外的光程差；

2 如果两者都存在或不存在，则不存在额外的光程差。 ）

2、杨氏双缝干涉：（D-缝屏距；d-双缝间距；k系列）D亮纹公式：xkk亮d(2k1) D暗纹公式：xk暗2dD相邻条纹间距：xd条纹特征：间隔均匀的明暗交替的直条纹，中间有零级亮条纹。条纹间距

x 和缝屏距离

D与入射光的波长成正比，与双缝之间的距离d成反比。

3.可分析薄膜干涉

例如增透膜、增透膜、分点牛顿环等。

4． 单缝衍射：（f-透镜焦距；a-单缝宽度；k-系列）

(2k1) (2k1)f 亮图案公式：asin、xk 亮 22a 暗图案公式：asink、xkfk 暗 af 中心亮图案宽度：l20af 其他条纹宽度：la

条纹特征：明暗条纹交替的直条纹，中心有零级亮条纹，宽度与其他条纹的宽度成反比。

5、衍射光栅：（dab为光栅常数，为衍射角）

光栅方程：(ab)sink,k0,1,21(a为透光部分，b为不透明部分，d,N为每米划痕数)N次。条纹间距l与透镜焦距f，与入射光的波长成正比，与单缝宽度成正比

光栅清晰图案公式：dsink、

第K级光谱张角：

第K级谱线宽度：xxxf(tgtg)

（dsink、dsink、400nm、紫光、760nm红光） 条纹特征：条纹既有干涉又有衍射。 6． 光的偏振：（I为入射光的强度，为两个偏振方向之间的夹角）

自然光穿过偏光镜：马吕斯定律：I0 偏振光穿过偏光镜：I20 布儒斯特角：（i 为入射角， 为折射角）

当入射角满足上述条件时，反射光为完全偏振光，偏振方向垂直于入射面； 折射光为部分偏振光，反射光与折射光垂直，即：i90

00量子物理基础

主要内容：

1、黑体辐射的实验规律无法用经典物理学来解释。普朗克提出能量量子化假说，成功地解释了黑体辐射的实验规律大学物理公式，并引发了力的测量。

科学和许多现代技术的诞生。

量子概念：呃

2、光电效应的实验规律无法用光的波动论来解释。 爱因斯坦提出了光子假说。 使用爱因斯坦方程hν=mv2/2+pton粉解释实验规则

辐射也证明了光的量子性质。

3、德布罗意波（物质波）假说：任何物理粒子都像光子一样具有波粒二象性。

vc时，m采用静质量； 德布罗意关系式： hhPmv vc 时，m 采用动质量。 Emc2h 光子：hPmv4。 波函数的统计解释

微观粒子的状态由波函数Ψ描述。 波函数 Ψ 是概率振幅。 波函数的平方|Ψ| 表示粒子在某一时间某一点出现的概率密度。 微观粒子态的演化由薛定谔方程描述。 5. 不确定关系：

xpxh 其中：

（h6.6310，普朗克常数）

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