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图1 二极管伏安特性曲线
二极管的伏安特性表达式可以表示为公式1-2-1
其中，iD为流过二极管两端的电流，uD为二极管两端的电压，UT为室温下26mv。 IS 是反向饱和电流。
1. 积极特征
特性曲线1的右半部分称为正向特性。 从图中可以看出，当二极管上的正向电压较小时二极管的特性，正向电流也较小，几乎等于零。 只有当二极管两端的电压超过一定值Uon时，正向电流才会显着增加。 Uon 称为死区电压。 死区电压与二极管的材料有关。 一般硅二极管的死区电压在0.5V左右，锗二极管的死区电压在0.1V左右。
当正向电压超过死区电压时，正向电流会随着电压的升高而迅速增大二极管的特性，电流与电压的关系基本上呈指数曲线。 从正向特性曲线可以看出，流过二极管的电流变化较大，但二极管两端的电压基本保持不变。 在近似解析计算中，这个电压称为开启电压。 导通电压与二极管的材料有关。 一般硅二极管的死区电压在0.7V左右，锗二极管的死区电压在0.2V左右。
2、反向特性
特性曲线1的左半部分称为反向特性。 从图中可以看出，当二极管施加反向电压时，反向电流很小，并且反向电流不再随反向电压而增大，即达到饱和。 该电流称为反向饱和电流，用符号IS表示。
如果反向电压继续增加并超过UBR，则反向电流急剧增加。 这种现象称为击穿，UBR称为反向击穿电压。
图2 二极管的温度特性
击穿后，它不再具有单向导电性。 需要注意的是，发生反向击穿并不意味着二极管已损坏。 其实，反向击穿后，只要注意控制反向电流的值，不要使其过大，就可以避免因过热而烧坏二极管。 当反向电压降低时，二极管性能仍可能恢复正常。
3、温度对二极管伏安特性的影响
随着温度升高，正向特性左移，反向特性下移； 接近室温时，温度每升高1℃，正向压降降低2-2.5mV； 接近室温时，温度每升高10℃，反向电流增加一倍。 二极管的温度特性如图2所示。
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